联华电子请求半导体组件及其制作办法专利提高半导体组件功能
发表时间： 2025/02/19 │ 作者: 分支箱开闭所系列
金融界 2024 年 11 月 28 日音讯，国家知识产权局信息数据显现，联华电子股份有限公司请求一项名为“半导体组件及其制作办法”的专利，公开号 CN 119029030 A，请求日期为 2023 年 6 月。
专利摘要显现，本发明供给一种半导体组件及其制作办法，其间该半导体组件包含栅极结构、榜首掺杂区与第二掺杂区、阻隔结构、绝缘层以及场板。所述栅极结构，坐落衬底上。所述榜首掺杂区与所述第二掺杂区，在所述栅极结构两边。所述阻隔结构，坐落所述榜首掺杂区与第二掺杂区之间的所述衬底中，且与所述栅极结构分隔非零距离。所述绝缘层，从所述栅极结构的部分顶面接连延伸至所述阻隔结构的部分顶面。所述场板，坐落所述绝缘层上，且与所述栅极结构等电位。
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